牛车实验室发布WEY VV5/领克01拆解报告_南宁金属波纹管
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牛车实验室发布WEY VV5/领克01拆解报告

来源:南宁

常规的石墨烯是没有带隙的——它特殊的波纹状价带和导带实际上是连在一起的,这使得它更像是金属。尽管如此,科学家们试图分开这两个带。通过把石墨烯制造成奇特的形状,如带状,目前最高可以让带隙达到100meV,但这对电子工程应用来说还是太小了。

相对于通过前端设计提升微结构来提高芯片性能,通过后端设计来提升主频显然更加简单粗暴,研发周期也更短(微结构研发一般要3年),更适合商业推广。

硅基材料集成电路主频越高,热量也随之提高,并最终撞上功耗墙。目前硅基芯片最高的频率是在液氮环境下实现的8.4G,日常使用的桌面芯片主频基本在3G到4G,笔记本电脑为了控制CPU功耗,主频普遍控制在2G到3G之间。

但如果使用石墨烯材料,那么结果就可能不同了。因为相对于现在普遍使用的硅基材料,石墨烯在室温下拥有10倍的高载流子迁移率,同时具有非常好的导热性能,芯片的主频理论上可以达到300G,并且有比硅基芯片更低的功耗——早在几年前,IBM在实验室中的石墨烯场效应晶体管主频达155G。

因此,在前端设计水平相当的情况下,使用石墨烯制造的芯片要比使用硅基材料的芯片性能强几十倍,随着技术发展,进一步挖掘潜力,性能可能会是传统硅基芯片的上百倍!同时还拥有更低的功耗。

石墨烯因其超薄结构以及优异的物理特性,在 FET 应用上展现出了优异的性能和诱人的应用前景. 如 Obradovic 等研究发现,与碳纳米管相比,石墨烯 FET 拥有更低的工作电压﹔Wang等所制备的栅宽 10nm 以下的石墨烯带 FET 的开关比达 10e7﹔Wu 等采用热蒸发 4H-SiC 外延生长的石墨烯制备的 FET,其电子和空穴迁移率分别为 5,400 和 4,400cm2/(V·s),比传统半导体材料如 SiC 和 Si 高很多﹔Lin 等制备出栅长为 350nm 的高性能石墨烯 FET,其载流子迁移率为 2700 cm2/(V·s),截止频率为 50 GHz,并在后续研究中进一步提高到 100 GHz﹔Liao 等所制备的石墨烯 FET 的跨导达 3.2 mS/μm,并获得了迄今为止最高的截止频率 300 GHz,远远超过了相同栅长的 Si-FET (~40GHz)。

金属波纹管:牛车实验室发布WEY VV5/领克01拆解报告
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然而, 由于石墨烯的本征能隙为零,并且在费米能级处其电导率不会像一般半导体一样降为零,而是达到一个最小值,这对于制造晶体管是致命的,为石墨烯始终处于“开”的状态。

另外,带隙为零意味着无法制作逻辑电路,这成为石墨烯应用于晶体管等器件中的主要困难和挑战。因此, 如何实现石墨烯能带的开启与调控,亟待研究和解决。据文献报道,一般采用两种方法实现石墨烯能带的开启与调控,即﹕掺杂改性和形貌调控。Nature Nanotechnology 评论明确指出﹕要深入挖掘石墨烯的优异物理特性,以制备高性能石墨烯 FET,其重要基础和关键之一是获得宽度与厚度(即层数)可控的高质量石墨烯带状结构。带状石墨烯因其固有而独特的狭长“扶椅”或“之”状边缘结构效应、量子限域效应而具有丰富的能带结构,其能隙随着石墨烯的宽度减小而增大,且和石墨烯的厚度密切相关,成为石墨烯 FET 沟道材料的理想选择。

纳米碳材料,特别是石墨烯具有极其优异的电学、光学、磁学、热学和力学性能,是理想的纳电子和光电子材料。石墨烯具有特殊的几何结构,使得费米面附近的电子态主要为扩展π态。由于没有表面悬挂键,表面和纳米碳结构的缺陷对扩展 π 态的散射几乎不太影响电子在这些材料中的传输,室温下电子和空穴在石墨烯中均具有极高的本征迁移率 (大于 100000 cm2/(V·s)),超出最好的半导体材料(典型的硅场效应晶体管的电子迁移率为 1000 cm2/(V·s))。

作为电子材料,石墨烯可以通过控制其结构得到金属和半导体性管。在小偏压的情况下,电子的能量不足以激发石墨烯中的光学声子,但与石墨烯中的声学声子的相互作用又很弱,其平均自由程可长达数微米,使得载流子在典型的几百纳米长的石墨烯器件中呈现完美的弹道输运特征。典型的金属性石墨烯中电子的费米速度为 υF= 8×10e5 m/s,室温电阻率为 ρ = 10E6 Ω-cm,性能优于最好的金属导体,例如其电导率超过铜。由于石墨烯结构中的 C–C 键是自然界中最强的化学键之一,不但具有极佳的导电性能,其热导率也远超已知的最好的热导体,达到 6,000 W/mK。

此外石墨烯结构没有金属中的那种可以导致原子运动的低能缺陷或位错,因而可以承受超过 10e9 A/cm2 的电流,远远超过集成电路中铜互连线所能承受的 10e6A/cm2 的上限,是理想的纳米尺度的导电材料。理论分析表明,基于石墨烯结构的电子器件可以有非常好的高频响应,对于弹道输运的晶体管其工作频率有望超过 THz, 性能优于所有已知的半导体材料。

现代信息技术的基石是集成电路芯片,而构成集成电路芯片的器件中约 90% 是源于硅基 CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor),互补金属-氧化物-半导体)技术,而硅基 CMOS技术的发展在 2005年国际半导体技术路线图 (International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)宣布将在 2020 年达到其性能极限。原因在 CMOS 技术的核心是高性能电子 (n-)型和空穴 (p-)型场效应晶体管 (field effect transistor, FET)的制备,以及将这两种互补的场效应晶体管集成的技术。

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